[发明专利]沟槽肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710324047.7 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107195692B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 余强;焦伟;桑雨果;姚鑫;张小辛 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽肖特基二极管及其制作方法，包括：于硅基底中形成多个具有第一宽度的第一沟槽以及至少一个位于终端的具有第二宽度的第二沟槽，所述第二宽度大于所述第一宽度；于第一沟槽第二沟槽及硅基底的表面形成介质层；沉积多晶硅，对多晶硅进行平坦化；去除硅基底上表面的介质层，所述第二沟槽中保留多晶硅及介质层；于硅基底上表面形成肖特基结；制作上金属电极。本发明通过在器件终端设置一个较宽的终端沟槽，并直接利用栅氧化层作为终端层间介质层，从而可以省掉传统工艺中需要单独生长终端层间介质层的工序；本发明肖特基势垒层所需表面使用湿法全刻蚀获得，可以省掉传统制作所需要的光罩层以及刻蚀工序，可以显著节约制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一硅基底，于所述硅基底中形成多个具有第一宽度的第一沟槽以及至少一个位于终端的具有第二宽度的第二沟槽，所述第二宽度大于所述第一宽度；2)于所述第一沟槽第二沟槽及硅基底的表面形成介质层；3)于所述第一沟槽及第二沟槽中沉积多晶硅，直至填满所述第一沟槽，然后对所述多晶硅进行平坦化至露出所述硅基底上表面的介质层；4)去除所述硅基底上表面的介质层，露出硅基底的上表面，所述第二沟槽中保留多晶硅及介质层；5)于所述硅基底上表面形成肖特基金属层，并形成肖特基结；6)制作上金属电极。
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