[发明专利]Ti掺杂CrO2外延薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710297704.3 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107103992B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 卢志红;程明;张振华;熊锐 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/22 | 分类号： | H01F41/22;H01F41/14;C30B25/18 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 肖珍 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Ti掺杂CrO2外延薄膜及其制备方法，Ti掺杂CrO2外延薄膜的制备方法，包含以下步骤：将75~99.99份质量的CrO3和0.01~25份质量的TiF4混合均匀后装入石英舟，再将所述石英舟放入双温管式炉的低温区，将TiO2单晶基片放入双温区管式炉的高温区；在以100~150mL/min的流速向管式炉内持续通入O2的条件下，将高温区加热至390℃~480℃，开始保温；在高温区开始保温时，对低温区开始加热，将低温区加热至290℃~310℃，再对高温区和低温区保温1.5~3h，即在TiO2单晶基片上制得Ti掺杂CrO2外延薄膜。本发明方法的制备温度区间为390oC~480oC，所制得的Ti掺杂CrO2外延薄膜热稳定性得到了较大提高，和更多的一些高温材料有温度区间的重叠，能和更多的高温材料相互耦合形成多层膜自旋器件。 | ||
| 搜索关键词： | ti 掺杂 cro2 外延 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ti掺杂CrO2外延薄膜的制备方法，其特征在于包含以下步骤：步骤一，将75~99.99份质量的CrO3和0.01~25份质量的TiF4混合均匀后装入石英舟，再将所述石英舟放入双温管式炉的低温区，将TiO2单晶基片放入双温区管式炉的高温区；步骤二，在以100~150mL/min的流速向管式炉内持续通入O2的条件下，将高温区加热至390℃~ 480℃，开始保温；步骤三，在高温区开始保温时，对低温区开始加热，将低温区加热至290℃~310℃，再对高温区和低温区保温1.5~3h，即在TiO2单晶基片上制得Ti掺杂CrO2外延薄膜；所述的CrO3为分析纯物质；所述的TiF4为分析纯物质。
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