[发明专利]一种扩散低表面浓度提效工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池板制造技术领域，尤其为一种扩散低表面浓度提效工艺，包括以下步骤，步骤1)装片送片；步骤2)升温；步骤3)预氧化；步骤4)第一次扩散；步骤5)第一次推进；步骤6)第二次扩散；步骤7)第二次推进；步骤8)降温；步骤9)退舟。通过增大前氧，加强预氧化，提高扩散前钝化效果；优化扩散、推进步时间及温度，采用低温慢推原理，减少高温带来的热损伤；调整扩散N2‑POCl3流量，降低硅片表面磷浓度，减少重掺杂效应的禁带收缩，降低死层，减少表面复合；同时改变扩散步O2流量，减小扩散步O2对磷扩散的阻碍，提升方阻均匀性，提升转换效率。

主权项

一种扩散低表面浓度提效工艺，其特征在于：包括以下步骤，步骤1)装片送片：将清洗甩干的硅片装入石英舟，将装满硅片的石英舟缓缓推入扩散炉；步骤2)升温：对石英舟加热，使温度达到775℃‑795℃；步骤3)预氧化：通入O2进行预氧化，预氧化时间为180‑220s，通入的O2流量为1900‑2100sccm；步骤4)第一次扩散：将炉内温度升高至805℃‑815℃，O2流量调整为500‑700sccm，通入N2‑POCl3且流量为1150‑1250sccm，按照设定时间进行扩散，扩散时间为580s‑620s；步骤5)第一次推进：使表面的磷，向硅片体内推进，停止通入O2与N2‑POCl3，推进280s‑320s；步骤6)第二次扩散：将炉内温度升高至825℃‑835℃，通入O2及N2‑POCl3，其流量设置与步骤4)第一次扩散一致，按照设定时间进行扩散，扩散时间为280s‑320s；步骤7)第二次推进：停止通入O2与N2‑POCl3，推进480s‑520s；步骤8)降温：通入O2将流量设为1900‑2100sccm，将炉内温度降至基础温度；步骤9)退舟：停止通入O2，将石英舟退出扩散炉。