[发明专利]功率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710093833.0 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106920846A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李学会 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率晶体管及其制造方法。所述功率晶体管的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源极区、以及所述阱区上方的栅极，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述元胞结构还包括将所述阱区至少部分包裹的空穴电流阻碍区，所述空穴电流阻碍区为第二导电类型、且掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度，所述空穴电流阻碍区从一所述栅极的下方延伸至所述栅极的相邻栅极的下方。本发明能够提高功率晶体管的雪崩耐量，在不影响器件常规参数的同时提高了器件在感性负载环境下工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率晶体管，所述功率晶体管的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源极区、以及所述阱区上方的栅极，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述元胞结构还包括将所述阱区至少部分包裹的空穴电流阻碍区，所述空穴电流阻碍区为第二导电类型、且掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度，所述空穴电流阻碍区从一所述栅极的下方延伸至所述栅极的相邻栅极的下方。
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