[发明专利]一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化钼电致变色纳米薄膜及其制备方法。本发明薄膜为厚度为100~150 nm的纳米片状结构阵列、层状结构的纳米块、短纳米带结构阵列或者直径70~100 nm的表面粗糙的纳米球。本发明首先将单质钼、双氧水与去离子水混合溶解，冰水浴磁力搅拌，陈化后，然后加入封端剂和粘结剂，得到前驱体；再将前驱体加入到反应釜中，将导电玻璃倾斜放置于反应釜中，导电面朝下，水热反应，反应结束后取出玻璃基板，最后在无水乙醇中浸润，再将所得薄膜放在马弗炉里煅烧，即可得氧化钼电致变色纳米薄膜。本发明制备的氧化钼薄膜材料形貌均一，可以应用于电致变色器件及其相关领域。

主权项

1.一种氧化钼电致变色纳米薄膜的制备方法，其特征在于：其采用直接水热法制备，具体步骤如下：①冰水浴下，将单质钼、双氧水与去离子水混合溶解，再磁力搅拌，陈化6 ~ 12 h后形成均一透明黄色溶液；之后向其中加入封端剂和粘结剂，混合得到反应前躯体；单质钼、双氧水、封端剂与粘结剂的质量比为（1.0~1.2 ）：（8~20 ）：1 ：（ 0.5~2）；封端剂为硝酸钠，氯化钠，酒石酸钠或柠檬酸钠中的任意一种；粘结剂为聚乙二醇PEG，聚吡咯烷酮PVP，聚乙烯醇PVA，葡萄糖或正丁醇中的任意一种；②将步骤①得到的反应前驱体转移至聚四氟乙烯反应釜芯中，导电玻璃的导电面朝下倾斜放置于反应釜中，随后置于烘箱中120 ~ 180 ℃的温度下恒温反应3 ~ 24 h，反应结束后自然冷却至室温，将所制得的薄膜浸润、干燥、热处理，即可制得氧化钼电致变色纳米薄膜；薄膜为厚度为100 ~ 150 nm的纳米片状结构阵列、层状结构的纳米块、宽厚比8~12，长度在4~6 μm的短纳米带或者直径70~100 nm的表面粗糙的纳米球。