[发明专利]同时实现低功耗和低噪声的神经信号单端放大器有效

专利信息
申请号: 201710089448.9 申请日: 2017-02-20
公开(公告)号: CN107104641B 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 雷健;韩雁;张世峰;乔志通;孙龙天 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/30
代理公司: 33200 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 林松海
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种同时实现低功耗和低噪声的神经信号单端放大器,包括由PMOS器件M1,M3和NMOS器件M2,M4组成的共源共栅C类反相器;由两组电容对C1和C1f组成的电容反馈电路,通过反馈作用使得放大器的增益保持稳定;由两个PMOS器件,组成等效电阻很大的伪电阻PR1和PR2,其中PR1连接参考电路的PMOS器件M5的栅极和反相器电路的PMOS器件M1的栅极以提供PMOS器件M1栅极处的直流偏置,其中PR2连接反相器的输出VOUT和反相器电路的NMOS器件M2的栅极以提供NMOS器件M2栅极处的直流偏置;由M6~M9组成的衬底偏置电路,降低参考电路的PMOS器件M5的衬底偏置电压,进而减小其阈值电压,最后提升M5的栅极电压以抵消深亚微米工艺下的伪电阻PR1两端的电压差,实现很好的电流镜像效果。
搜索关键词: 同时 实现 功耗 噪声 神经 信号 放大器
【主权项】:
1.一种同时实现低功耗和低噪声的神经信号单端放大器,其特征在于:包括含电容反馈电路的共源共栅C类反相器电路、参考偏置电路、衬底偏置电路;/n所述的含电容反馈电路的共源共栅C类反相器电路包括PMOS器件M1,M3和NMOS器件M2,M4,以及两组电容对C1和C1f,所述的两组电容对C1和C1f均采用深亚微米工艺下的MOM电容,且保持大小相同;其中M1的栅极连接至其中一组电容对C1和C1f的“+”端;其中M2的栅极连接至另一组电容对C1和C1f的“+”端;两组电容对的C1的“-”端相连接到输入VIN;两组电容对的C1f的“-”端相连接到输出VOUT;M1的漏极和M3的源极相连;M3的漏极和M4的漏极相连到输出VOUT;M2的漏极和M4的源极相连;M1的源极连接至电源VDD;M2的源极连接至地GND;/n所述的参考偏置电路包括PMOS器件M5和由PMOS器件构建的伪电阻PR1和PR2;其中M5的源极与电源VDD相连;其中M5的栅极与漏极相连,并连接至PR1的左端;其中PR1的右端与共源共栅C类反相器电路中的M1的栅极相连;其中PR2的两端分别与共源共栅C类反相器电路中的M2的栅极、输出VOUT相连;/n所述的衬底偏置电路包括 PMOS器件M7和M9,NMOS器件M6和M8;其中M7的栅极与参考偏置电路中的M5的栅极相连;其中M6的栅极和漏极相连,并连接至M8的栅极;其中M9的栅极与参考偏置电路中的M5的衬底相连;其中M7的漏极与M6的漏极相连;其中M9的漏极和栅极相连,并连接至M8的漏极;其中M7和M9的源极与电源VDD相连;其中M6和M8的源极与地GND相连。/n
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  • 本发明涉及一种D类功放的上电噪声抑制电路、方法和装置。数字输入模块,数字输入模块用于接收数字音频信号,并将数字音频信号输入D类功放模块;噪声抑制模块,噪声抑制模块用于检测数字输入模块中的数字音频信号输入,并且在检测到D类功放模块上电时,将D类功放模块中脉宽调制的占空比的初始值设置为预设值,当噪声抑制模块检测到数字输入模块中有数字音频信号输入时,根据数字音频信号的幅值,设置工作值;预设值小于工作值。本发明可以在实现上电噪声抑制的情况下,降低电路成本和电路体积。
  • 带有基极电流重用的放大器-201510595008.1
  • P·J·莱托拉 - 天工方案公司
  • 2015-09-17 - 2019-11-19 - H03F1/26
  • 一种RF放大器模块,具有多个放大器,其中,经由包络跟踪模块来对至少一个放大器供电。向第一放大器提供至少一个放大器的偏置输入,以对所述第一放大器供电,从而减少功耗。所述第一放大器还可以经由固定偏置进行供电,以提供更高的模块稳定性。
  • 一种宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器-201910568545.5
  • 梁煜;党艳杰;张为 - 天津大学
  • 2019-06-27 - 2019-11-15 - H03F1/26
  • 本发明涉及一种宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器,其特征在于:设有输入匹配级、噪声抵消级和输出匹配级,其中,所述输入匹配级包括:第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)和第三晶体管(M3);所述第一晶体管(M1)的栅极与第二晶体管(M2)的栅极、第一电阻(R1)的第一端、输入信号(IN)和第四晶体管(M4)的栅极连接;所述第二晶体管(M2)的漏极与第一晶体管(M1)的漏极、第一电阻(R1)的第二端和第一电容(C1)的第一端连接;所述第二晶体管(M2)的源极与第三晶体管(M3)的漏极连接。所述噪声抵消级包括:第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)和第六晶体管(M6)。
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