[发明专利]连续等离子体中的原子层蚀刻

摘要

本发明涉及连续等离子体中的原子层蚀刻。基于通过评估待蚀刻材料和用于蚀刻材料的化学物质确定的去除能量阈值使用自限制反应来蚀刻衬底的方法和装置涉及连续等离子体的流动。工艺条件允许受控的自限制各向异性蚀刻，而不在用于蚀刻衬底上的材料的化学物质之间交替。良好控制的蚀刻前沿允许反应性自由基和惰性离子的协同效应以执行蚀刻，使得当衬底被反应性自由基改变并且被惰性离子移除时蚀刻材料，而当材料被反应性自由基改变但不存在惰性离子时或当存在惰性离子但材料没有被反应性自由基改变时不蚀刻材料。

主权项

一种蚀刻衬底的材料的方法，所述方法包括：将处理室中的衬底暴露于由反应性物质产生的等离子体和由惰性离子气体产生的等离子体，以使用自限制反应去除所述材料，其中用于使用所述惰性离子气体去除由所述反应性物质改变的所述材料的层的能量阈值小于使用所述惰性离子气体溅射在所述衬底上的所述材料的能量阈值。