[发明专利]用于生产CdTe薄膜太阳能电池的方法有效
申请号: | 201680073998.5 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN108513683B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 德罗斯特·克里斯蒂安;弗劳恩施泰因·斯文;哈尔·迈克尔;彭寿 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200063 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明描述一种用于生产CdTe薄膜太阳能电池的方法,其中不同加工步骤的特殊参数和特殊的加工步骤顺序引起改进所生产的CdTe太阳能电池的特性。 | ||
搜索关键词: | 用于 生产 cdte 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于生产CdTe薄膜太阳能电池的方法,所述方法包含以下步骤:提供透明衬底,其上具有作为前接触的透明导电层,使用封闭空间升华技术,将CdS层施加在所述透明传导层上,其中所述CdS层的厚度范围为20nm到40nm,使用封闭空间升华技术,将CdTe层施加在所述CdS层上,其中所述CdTe层的厚度范围为3μm到5μm,以在50nm到100nm范围内的厚度,将CdCl2的结晶层施加在所述CdTe层的第一表面上,在施加所述CdCl2层之后,在大气条件下在380℃到430℃范围内的温度下,执行第一温度处理步骤,持续时间为15分钟到45分钟,在所述第一温度处理步骤之后,执行第一清洁步骤,其中将由所述先前加工步骤所得的所述叠层浸渍到浓度在0.1%到50%范围内的柠檬酸氢二铵溶液中,持续时间为15秒到5分钟,在所述第一清洁步骤之后,将背接触层施加在所述第一表面上,其中所述背接触层的厚度范围为200nm到400nm并且包含钼,通过将由所述先前工艺步骤所得的叠层浸渍到浓度在0.05mmol/L到1mmol/L范围内的CuCl2溶液中,持续时间为30秒到2分钟,以向所述背接触层的第一表面提供铜离子,在从所述CuCl2溶液中取出所述叠层之后,在大气条件下在180℃到250℃范围内的温度下,执行第二温度处理步骤,持续时间为10分钟到45分钟,在所述第二清洁步骤之后,执行人工老化步骤,其中所述人工老化步骤包括在大气条件下在70℃到80℃范围内的温度下,以在5000lx到200000lx范围内的照度照射由所述先前工艺步骤所得的所述叠层,持续时间为1分钟到48小时,和在所述人工老化步骤之后,执行第二清洁步骤,其中通过将所述叠层浸渍到浓度在50%到100%范围内的二甲基甲酰胺溶液中,持续时间为1分钟到10分钟,随后用水和异丙醇冲洗来清洁由所述先前加工步骤所得的所述叠层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司,未经中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680073998.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光学图像识别芯片、制造方法及终端设备
- 下一篇:用于转移微电子器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的