[发明专利]解调像素元件、像素元件阵列以及结合它们的光电元件有效

专利信息
申请号: 201680067800.2 申请日: 2016-10-21
公开(公告)号: CN108391450B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 格曾·科克吕;伯恩哈德·比特让 申请(专利权)人: 赫普塔冈微光有限公司
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H04N5/3745;G01C3/00;G01S7/491
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;吴启超
地址: 新加坡新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 像素元件和像素元件阵列可操作以解调入射在所述像素元件的光电检测区域上的调制光。所述像素元件可以包括浮置扩散植入层和传输栅极。将所述浮置扩散植入层和所述传输栅极设置成使得光生电荷载流子可以通过最小电荷载流子传输路径传导到所述浮置扩散植入层。
搜索关键词: 解调 像素 元件 阵列 以及 结合 它们 光电
【主权项】:
1.一种可操作以解调入射调制光的像素元件,所述像素元件包括:钉扎光电二极管结构,所述钉扎光电二极管结构包括第一型的衬底、第二型的植入层、设置在所述第二型的所述植入层内的所述第一型的植入层、设置在所述衬底的表面上的绝缘体以及光电检测区域,所述光电检测区域可操作使得入射在所述光检测区域上的调制光和共模光产生所述第二型的电荷载流子,所述电荷载流子具有所述入射调制光的调制特性;设置在所述绝缘体的表面上的多个第一传输栅极和多个第二传输栅极,其中所述多个第一传输栅极和所述多个第二传输栅极可操作以在所述第一型的所述衬底内产生场;以及设置在所述第一型的所述衬底内的所述第二型的多个第一浮置扩散植入层和所述第二型的多个第二浮置扩散植入层;其中所述多个第一传输栅极和所述多个第二传输栅极可操作以在第一时刻将所述电荷载流子传导到所述多个第一浮置扩散植入层,并且所述多个第一传输栅极和所述多个第二传输栅极可操作以在第二时刻将所述电荷载流子传导到所述多个第二浮置扩散植入层。
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