[发明专利]磁性体薄膜形成用溅射靶有效
| 申请号： | 201680006176.5 | 申请日： | 2016-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN108026631B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 森下雄斗 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C19/07;C22C32/00;G11B5/851;B22F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种溅射靶，其包含含有Co的合金以及硼和/或硼的氧化物，其特征在于，溶解到水中的氧化硼(B |
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| 搜索关键词： | 磁性 薄膜 形成 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其包含含有Co的合金以及硼和/或硼的氧化物，其特征在于，溶解到水中的氧化硼(B2 O3 )中的金属硼为7000μg/m2 以下。
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