[发明专利]一种饱和状态下双极晶体管结温的实时测量方法有效

专利信息
申请号: 201610918317.2 申请日: 2016-10-20
公开(公告)号: CN106501699B 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 郭春生;丁嫣;姜舶洋;苏雅;冯士维 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种饱和状态下双极晶体管结温的实时测量方法,本发明涉及半导体器件测试领域。本发明提供恒定的基极电压和恒定的集电极电流,使双极晶体管工作在饱和区条件下,测出基极电流Ibe和集电极电流Ice,计算出总功率P=Vbe*Ibe+Vce*Ice,Vbe为基极电压,Vce为集电极电压;利用数值分析中的插值计算做出电流、功率和温度对应关系的结温库,根据测量的基极电流和总功率即可在结温库中得出对应的结温。测出双极晶体管工作在饱和区时的结温,测量方法简单准确,利用插值计算做出结温库后,只需测出基极电流和计算出总功率,在结温库中就可以找到对应的结温。无需测试电流和工作电流的切换,消除开关造成的延迟而导致结温测量不准确。
搜索关键词: 一种 饱和状态 双极晶体管 实时 测量方法
【主权项】:
1.一种饱和状态下双极晶体管结温的实时测量方法,其特征在于:提供恒定的基极电压和恒定的集电极电流,使双极晶体管工作在饱和区条件下,测出基极电流Ibe和集电极电压Vce,计算出总功率P=Vbe*Ibe+Vce*Ice,Vbe为基极电压,Vce为集电极电压;利用数值分析中的插值计算做出电流、功率和温度对应关系的结温库,根据测量的基极电流和总功率即可在结温库中得出对应的结温;采用电学参数法,温敏参数选基极电流Ibe,在基极一端加脉冲电压,集电极一端加脉冲电流,发射极一端接地,使双极晶体管工作在饱和区,不同温度下测量器件的基极电流Ibe和集电极电压Vce,计算出总功率P=Vbe*Ibe+Vce*Ice,绘出基极电流与温度关系曲线,总功率与温度关系曲线,电流、功率和温度的三维关系图像;利用插值计算,根据测量的数据,做出电流、功率和温度对应关系的结温库,只需测出基极电流,算出总功率,即可在结温库中得到器件对应的结温;实现该测量方法的系统包括双极晶体管器件(1)、温箱(2)、测量仪(3)、器件夹具(4),双极晶体管器件(1)设置在温箱(2)内,双极晶体管器件(1)与器件夹具(4)连接,器件夹具(4)与测量仪(3)连接;温箱(2)用于给双极晶体管器件(1)加温;测量仪(3)用于给双极晶体管器件(1)加脉冲电压和脉冲电流,并测出基极电流和集电极电压。
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