[发明专利]改善高温退火热分布的方法在审
| 申请号： | 201610880299.3 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107918686A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王家鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 栾波 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善高温退火热分布的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括在版图中定义第一填充区域、第二填充区域；第一填充区域为器件或电路图形区域，用以布置实际的器件或电路结构。第二填充区域为非器件或非电路区域。在所述第一填充区域内填充第一图形，第一图形为实际的器件或电路图形。在所述的第二填充区域内填充牺牲图形，牺牲图形不构成实际器件或电路，为平衡热量分布之用。由于牺牲图形的存在会改善高温退火热分布，在退火之后第一图形整体形貌一致性好，提高产品的良品率和稳定性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 高温 火热 分布 方法 | ||
【主权项】：
一种改善高温退火热分布的方法，其特征在于，包括：在版图中定义第一填充区域、第二填充区域；第一填充区域为器件或电路图形区域，用以布置实际的器件或电路结构，第二填充区域为非器件或非电路区域；在所述第一填充区域内填充第一图形，第一图形为器件或电路图形；在所述的第二填充区域内填充牺牲图形，以平衡第一填充区域和第二填充区域的热量分布。
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