[发明专利]一种低功耗CMOS基准源电路

摘要

本发明属于模拟电路技术领域，具体涉及一种低功耗CMOS基准源。本发明的电路主要包含一个耗尽型NMOS和一个增强型NMOS，其中耗尽型NMOS栅极和源极短接，增强型NMOS栅极与漏极短接；两个MOS管均工作在饱和区。本发明的有益效果为，电路结构简单，不需要额外的启动电路，具有较好的电源抑制能力。

主权项

一种低功耗CMOS基准源电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第二电容；第一NMOS管的漏极接电源，其栅极接第二NMOS管的源极；第二NMOS管的漏极接第一NMOS管的源极，第二NMOS管的栅极与其源极互连；第三NMOS管的漏极接第二NMOS管的源极，第三NMOS管的栅极通过第一电阻后接第五NMOS管的源极；第三NMOS管漏极与第二NMOS管源极的连接点依次通过第三电阻和第一电容后接地；第四NMOS管的漏极接第三NMOS管的源极，第四NMOS管的栅极通过第一电阻后接第五NMOS管的源极，第四NMOS管的源极接地；第五NMOS管的漏极接电源，其栅极接第二NMOS管的源极，第五NMOS管的源极依次通过第一电阻和第二电阻后接地；第二电容的一端接第五NMOS管的源极，另一端接地；第五NMOS管的源极、第一电阻和第二电容的连接点为基准源电路输出端；所述第一NMOS管和第二NMOS管为耗尽型MOS管，第三NMOS管和第四NMOS管为增强型MOS管。