[发明专利]一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置

摘要

本发明公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件包括用于支撑铱反射屏的氧化锆内保温筒；覆盖在铱反射屏之上的上部保温部件，其上留有籽晶杆入口；环绕氧化锆内保温筒的中部保温部件；环绕铱坩埚和发热体的下部保温部件。该装置设计能够减少铱坩埚的损耗，有效抑制晶体内部杂质元素的含量，从而能够很好地抑制晶体内部缺陷，延长坩埚使用寿命，为实现大规模生产高质量、低成本的氧化镓单晶奠定了基础。

主权项

1.一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置，其特征在于，该装置包括构成单晶炉内用于保温和加热热场的多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体（8）和铱坩埚（7），由圆形感应线圈（10）同时对发热体（8）以及铱坩埚（7）进行加热，发热体（8）与铱坩埚（7）分离，两者之间留有间隙；热场部件包括用于支撑铱反射屏（9）的氧化锆内保温筒（4），氧化锆内保温筒（4）位于发热体（8）之上，由发热体（8）支撑；包括覆盖在铱反射屏（9）之上的上部保温部件（2），其上留有籽晶杆入口（1）；包括环绕氧化锆内保温筒（4）的中部保温部件（3）；还包括环绕铱坩埚（7）和发热体（8）的下部保温部件（6）；所述发热体（8）为圆筒状，上下开口；所述铱反射屏（9）形状为中心开孔的铱圆片制成，铱反射屏（9）位于铱坩埚（7）正上方；各热场部件材料的纯度均为99.7%以上。