[发明专利]一种适用于高速串行接口的线性均衡器有效
| 申请号: | 201610560555.0 | 申请日: | 2016-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN106209709B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
| 发明(设计)人: | 杨霄垒;蒋颖丹;张沁枫;杨俊浩 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号: | H04L25/03 | 分类号: | H04L25/03 |
| 代理公司: | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人: | 杨立秋 |
| 地址: | 214035 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种适用于高速串行接口的线性均衡器,包括由第一NMOS晶体管M1,第二NMOS晶体管M2组成的差分输入对管,由第三NMOS晶体管M3,第四NMOS晶体管M4组成的偏置电流源,一对差分输入信号VINP,VINN和一对差分输出信号VOUTP,VOUTN,还包括由可变电阻RS,可变电容CS组成的电容电阻负反馈均衡电路和由电阻RG和第五NMOS晶体管M5组成的有源电感与两个负载电阻RL共同形成输出负载。本发明通过有源电感能够多产生一个高于通道带宽的零点,在高速串行数据传输的过程中提供更宽的带宽和更大的高频增益,提高均衡器性能,同时有效减少了集成电路芯片版图面积,降低了和功耗。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 适用于 高速 串行 接口 线性 均衡器 | ||
【主权项】:
1.一种适用于高速串行接口的线性均衡器,包括由第一NMOS晶体管M1,第二NMOS晶体管M2组成的差分输入对管,由第三NMOS晶体管M3,第四NMOS晶体管M4组成的偏置电流源,一对差分输入信号VINP,VINN和一对差分输出信号VOUTP,VOUTN,其特征在于:还包括由可变电阻RS,可变电容CS组成的电容电阻负反馈均衡电路和由电阻RG和第五NMOS晶体管M5组成的有源电感与两个负载电阻RL共同形成输出负载,电容电阻负反馈均衡电路的可变电容CS和有源电感分别产生一个高于通道带宽的零点;所述第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2均为大小相同的NMOS晶体管,第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的漏极分别接一对差分输出信号VOUTN,VOUTP的输出端,第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的栅极分别接一对差分输入信号VINP,VINN的输入端,第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的源极分别接偏置电流源管;所述第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4均为大小相同的NMOS晶体管,第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4的栅极相连并接到共同的偏置电压Vbias,第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4的漏极分别接第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的源极,第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4的源极均接地。
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