[发明专利]表面修饰非晶碳/碳纳米管‑聚偏氟乙烯高介电复合材料在审
| 申请号： | 201610534721.X | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106243583A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郭启凯;薛庆忠;陶保收;张建强;潘兴龙;鲁文博 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/02;C08K9/10;C08K7/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266580 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种表面修饰非晶碳/碳纳米管‑聚偏氟乙烯高介电复合材料及其制备方法。我们将碳纳米管与葡萄糖粉末在溶液中混合，通过水热处理、离心清洗和低温固化，得到了碳纳米管/非晶碳核壳结构材料；再将其分散在浓硝酸和浓硫酸的混酸中(体积比为1:3)发生氧化反应，在非晶碳的表面修饰含氧官能团，得到了表面修饰非晶碳/碳纳米管核壳结构材料；最后将上述核壳结构材料与聚偏氟乙烯混合得到高介电复合材料。在室温和1千赫兹下，该复合材料的介电常数可达43800，而损耗仅为1.8。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 修饰 非晶碳 纳米 聚偏氟 乙烯 高介电 复合材料 | ||
【主权项】：
一种表面修饰非晶碳/碳纳米管‑聚偏氟乙烯高介电复合材料，其特征是：所述复合材料由表面修饰非晶碳/碳纳米管核壳结构材料与聚偏氟乙烯复合而成，其介电常数高达43800，而介电损耗仅为1.8。
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