[发明专利]功率半导体器件边缘结构有效
| 申请号： | 201610516124.4 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106328712B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | E·法尔克;H-J·舒尔策;A·施韦格曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了一种功率半导体器件边缘结构，尤其是具有第一负载端子(11)、第二负载端子(12)和半导体主体(10)的半导体器件(1)。半导体主体(10)包括有源区域(13)和包围有源区域(13)的结终止区域(14)，有源区域(13)被配置为传导第一负载端子(11)与第二负载端子(12)之间的负载电流。半导体主体(10)包括：漂移层(101)；主体区(16)；保护区(17)；场停止区(18‑1)；和低掺杂区(18‑2)，其中，主体区(16)、保护区(17)、场停止区(18‑1)和低掺杂区(18‑2)被布置在半导体主体(10)内，以使得它们沿着垂直延伸方向(Z)呈现至少1μm的共同深度范围(DR)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 边缘 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(1)，所述半导体器件(1)具有第一负载端子(11)、第二负载端子(12)和半导体主体(10)，所述半导体主体(10)包括有源区域(13)和包围所述有源区域(13)的结终止区域(14)，所述有源区域(13)被配置为传导所述第一负载端子(11)与所述第二负载端子(12)之间的负载电流，其中，所述半导体主体(10)包括：‑漂移层(101)，所述漂移层(101)被布置在所述有源区域(13)和所述结终止区域(14)两者内，并以等于或小于1014cm‑3的漂移层掺杂物浓度具有第一导电类型的掺杂物；‑主体区(16)，所述主体区(16)被布置在所述有源区域(13)中并具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物，并且所述主体区(16)将所述漂移层(101)与所述第一负载端子(11)隔离开；‑保护区(17)，所述保护区(17)被布置在所述结终止区域(14)中并具有所述第二导电类型的掺杂物，并且所述保护区(17)被配置为对由所述漂移层(101)与所述主体区(16)之间的过渡部所形成的耗尽区域进行延伸；‑场停止区(18‑1)，所述场停止区(18‑1)被布置为邻近所述保护区(17)，所述场停止区(18‑1)以为所述漂移层掺杂物浓度至少2倍的场停止区掺杂物浓度具有所述第一导电类型的掺杂物；以及‑低掺杂区(18‑2)，所述低掺杂区(18‑2)被布置为邻近所述场停止区(18‑1)，所述低掺杂区(18‑2)以为所述漂移层掺杂物浓度至多1.5分之一的掺杂物浓度具有所述第一导电类型的掺杂物，其中，所述主体区(16)、所述保护区(17)、所述场停止区(18‑1)和所述低掺杂区(18‑2)被布置在所述半导体主体(10)中，以使得所述主体区(16)、所述保护区(17)、所述场停止区(18‑1)和所述低掺杂区(18‑2)沿着垂直延伸方向(Z)呈现至少1μm的共同深度范围(DR)。
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