[发明专利]功率金氧半导体场效晶体管有效
| 申请号： | 201610421831.5 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107403838B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘莒光 | 申请（专利权）人： | 杰力科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管，包括基板、半导体层、第一栅极、第二栅极、热氧化物层、第一化学气相沉积氧化物层以及栅极氧化层。半导体层形成于基板上并具有至少一沟槽。第一栅极位于沟槽内。第二栅极位于第一栅极上的沟槽内，其中第二栅极具有第一部分及第二部分，且第二部分位于半导体层及第一部分之间。热氧化物层位于第一栅极与半导体层之间。第一化学气相沉积氧化物层则在第一栅极与第二栅极之间。栅极氧化层一般位于第二栅极与半导体层之间。本发明提供的功率金氧半导体场效晶体管能在高电压场下维持功率金氧半导体场效晶体管的效能，并且使功率金氧半导体场效晶体管的制造信赖性获得提升。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，包括：基板；半导体层，形成于所述基板上，且所述半导体层具有至少一沟槽；第一栅极，位于所述沟槽内；第二栅极，位于所述第一栅极上的所述沟槽内，其中所述第二栅极具有第一部分及第二部分，且所述第二部分位于所述半导体层及所述第一部分之间；热氧化物层，位于所述第一栅极与所述半导体层之间；第一化学气相沉积氧化物层，位于所述第一栅极与所述第二栅极之间；以及栅极氧化层，位于所述第二栅极与所述半导体层之间。
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