[发明专利]硅返抛片多晶膜层的剥离方法有效
| 申请号： | 201610267921.3 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105895584B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 孙强;李秦霖;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅返抛片多层多晶膜层的剥离方法，其特征在于：首先将沉积有多层多晶膜层的晶圆放入温度大于50℃且小于70℃、质量分数大于35%且小于45%的KOH溶液中浸泡15‑30min，缓慢腐蚀剥离晶圆表面沉积的多晶膜层；随后将晶圆片放入温度大于90℃且质量分数大于45%的KOH的溶液中浸泡8‑12min，将多晶膜层彻底腐蚀剥离，从而得到待抛光的硅返抛片。本发明可以减小多晶膜层剥离后所产生的表面应力，使腐蚀所得的待抛片的硅返抛片表面深度与宽度大于70μm的滑移线的数量小于50条；因而本发明对于提高晶圆反抛成品率具有显著效果。 | ||
| 搜索关键词： | 硅返抛片 多晶 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅返抛片多层多晶膜层的剥离方法，其特征在于：(1)将含多层多晶膜层的晶圆浸泡于温度大于50℃且小于70℃、质量分数大于35％小于45％的KOH溶液中初步腐蚀处理15～30min；(2)再将初步腐蚀处理的晶圆浸泡于温度大于90℃且质量分数大于45％的KOH溶液中进行深度腐蚀8～12min；(3)经清洗，得到待抛光的硅返抛片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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