[发明专利]处理半导体衬底的方法和半导体芯片有效
| 申请号： | 201610039474.6 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105810634B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | K.卡斯帕尔;F.马里亚尼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及处理半导体衬底的方法以及半导体芯片。提供了一种处理半导体衬底的方法。方法可以包含：在半导体衬底的第一侧之上形成膜；在半导体衬底中在半导体衬底的第一区段与第二区段之间形成至少一个分离区段；将半导体衬底布置在断裂装置上，其中断裂装置包括断裂边缘，并且其中半导体衬底被布置成所述膜面向断裂装置并且位于其中至少一个分离区段与断裂边缘对齐的至少一个对齐位置中；以及迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段弯曲第一区段直到所述膜在断裂边缘与至少一个分离区段之间分离。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体 衬底 方法 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：/n在半导体衬底的第一侧之上形成膜；/n在所述膜之上形成层；/n在半导体衬底中在半导体衬底的第一区段与第二区段之间形成至少一个分离区段；/n将半导体衬底布置在断裂装置上，其中所述断裂装置包括断裂边缘，并且其中所述半导体衬底被布置成所述膜面向断裂装置并且位于其中所述至少一个分离区段与所述断裂边缘对齐的至少一个对齐位置中；以及/n迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段使第一区段弯曲，直到所述膜在断裂边缘与所述至少一个分离区段之间分离，其中所述层被配置成：当迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段使第一区段弯曲直到所述膜分离时，在所述断裂边缘和所述至少一个分离区段之间保持完好。/n
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- 本发明涉及处理半导体衬底的方法以及半导体芯片。提供了一种处理半导体衬底的方法。方法可以包含：在半导体衬底的第一侧之上形成膜；在半导体衬底中在半导体衬底的第一区段与第二区段之间形成至少一个分离区段；将半导体衬底布置在断裂装置上，其中断裂装置包括断裂边缘，并且其中半导体衬底被布置成所述膜面向断裂装置并且位于其中至少一个分离区段与断裂边缘对齐的至少一个对齐位置中；以及迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段弯曲第一区段直到所述膜在断裂边缘与至少一个分离区段之间分离。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
