[发明专利]半导体的激光掺杂

摘要

本发明涉及制备具有不同掺杂的区域的结构化的高效太阳能电池和光伏元件的方法。本发明同样涉及通过以此方式制备的具有提高的效率的太阳能电池。

主权项

直接掺杂硅基底的方法，其特征在于a）将适合作为用于形成氧化物层的溶胶‑凝胶并包含至少一种选自硼、镓、硅、锗、锌、锡、磷、钛、锆、钇、镍、钴、铁、铈、铌、砷和铅的掺杂元素的低粘度掺杂墨在整个表面上或选择性地印刷到所述基底表面上，并干燥，b）任选地用相同或不同组成的低粘度墨重复这个步骤，c）任选地通过在750至1100℃范围内的温度下的温度处理来实施通过扩散进行的掺杂，d）通过激光照射实施所述基底的掺杂，和e）任选地通过管式炉步骤或在线扩散步骤在升高的温度下进行对在所述基底中由所述激光照射引起的损伤的修复，和f）当所述掺杂完成后，再次除去由所施加的墨形成的玻璃层，其中步骤b）至e）可取决于希望的掺杂结果以不同的顺序实施，并可任选地重复这些步骤。