[发明专利]发光装置以及照明器具在审
| 申请号： | 201580065722.8 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107148682A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 川口恭裕;名田智一;松田诚;大沼宏彰;地主修;幡俊雄 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;F21S2/00;F21V23/00;H01L33/62;H05B37/02;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本国大阪府堺市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够通过来自单一的电源的电力供给来调整颜色温度的发光装置以及包含该发光装置的照明器具。发光装置具备阳极用电极连接盘；阴极用电极连接盘；相邻的第1发光部以及第2发光部，与所述阳极用电极连接盘以及所述阴极用电极连接盘电连接，并被并联设置；和低通滤波器，包含与所述第1发光部以及所述第2发光部并联设置的静电电容部件、以及与所述第1发光部以及所述第2发光部串联设置的电阻部件，所述第1发光部的电阻比所述第2发光部的电阻大，能够对包含所述第1发光部以及所述第2发光部的发光部整体所发出的光的颜色温度进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 以及 照明 器具 | ||
【主权项】：
一种发光装置，具备：阳极用电极连接盘；阴极用电极连接盘；相邻的第1发光部以及第2发光部，与所述阳极用电极连接盘以及所述阴极用电极连接盘电连接，且被并联设置；和低通滤波器，包含与所述第1发光部以及所述第2发光部并联设置的静电电容部件、以及与所述第1发光部以及所述第2发光部串联设置的电阻部件，所述第1发光部的电阻比所述第2发光部的电阻大，能够对包含所述第1发光部以及所述第2发光部的发光部整体所发出的光的颜色温度进行调整。
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- 2013-12-20 - 2019-01-18 - H01L33/00
- 本发明公开了一种半导体器件和制备半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一硅层(110；210)；第一介质层(120；220)，位于该第一硅层(110；210)上面，该第一介质层(120；220)包含窗口(121；221)，该第一介质层(120；220)的窗口(121；221)底部的横向尺寸不超过20nm；III‑V族半导体层(130；230)，位于该第一介质层(120；220)上面以及该第一介质层(120；220)的窗口(121；221)内，并在该第一介质层(120；220)的窗口(121；221)内与该第一硅层(110；210)相连。本发明实施例的半导体器件中的III‑V族半导体材料没有线位错，因而具有较高的性能。
- 具有圆顶的芯片级发光器件封装-201480041219.4
- S.阿克拉姆;J.K.巴瓦 - 亮锐控股有限公司
- 2014-05-05 - 2019-01-18 - H01L33/00
- 发光器件（LED）被制造在具有提供对每个LED的结构支承的一个或多个厚金属层的晶圆基板上。在个体LED之间的芯片间隔或小道不包括这个金属，且晶圆可容易被切片/切割成分割的自支承LED。因为这些器件是自支承的，单独的支承底座是不要求的。在分割之前，可在晶圆级应用另外的工艺；在分割之后，这些自支承LED可被拾取并放置在中间基板上用于如所要求的进一步处理。在本发明的实施例中，在晶圆级处或当发光器件位于中间基板上时在发光器件之上形成保护性光学圆顶。
- 用于制造半导体层序列的方法和光电子半导体器件-201580010404.1
- J.赫特科恩;W.贝格鲍尔;P.德雷克泽尔 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 2015-02-24 - 2018-11-27 - H01L33/00
- 说明用于制造半导体层序列的方法，所述方法具有以下步骤：‑提供具有在生长侧（50a）处的生长面（51）的生长衬底（50），‑在生长侧处生长第一氮化半导体层（10），‑第二氮化半导体层（20）生长到第一氮化半导体层（10）上，其中第二氮化半导体层（20）具有至少一个开口（21），或者在第二氮化半导体层（20）中产生至少一个开口（21），或者在生长期间在第二氮化半导体层（20）中形成至少一个开口（21），‑通过第二氮化半导体层（20）中的开口（21）将第一氮化半导体层（10）的至少一部分移除，‑第三氮化半导体层（30）生长到第二氮化半导体层（20）上，其中所述第三氮化半导体层（30）至少部分地覆盖开口（21）。
- 专利分类
