[实用新型]半导体激光器驱动电路及包括该电路的半导体激光器

摘要

本实用新型公开了一种半导体激光器驱动电路及包括该电路的半导体激光器，包括用于接收外部触发信号并产生正向窄脉冲的微分电路、雪崩三极管、储能电容、用于在所述雪崩三极管断开时对所述储能电容进行充电的充电电路、用于在所述雪崩三极管导通时接收所述储能电容放电释放的能量以驱动半导体激光器产生脉冲激光的光脉冲产生电路；本实用新型利用雪崩三极管的快速导通和关断特性，可产生亚纳秒级的脉冲，响应时间快；通过调整微分电路的阻容参数可以决定最大可能的脉冲宽度，脉冲宽度可调，重复性好；增加储能电容容值和电源电压大小即可提高驱动电流的大小，亦可调整脉冲宽度；充电电路可以在雪崩三极管断开时对储能电容进行充电，亦可对脉宽进行微调。

主权项

一种半导体激光器驱动电路，其特征在于，包括用于接收外部触发信号并产生正向窄脉冲的微分电路(10)、雪崩三极管(Q1)、储能电容(C2)、用于在所述雪崩三极管(Q1)断开时对所述储能电容(C2)进行充电的充电电路(30)、用于在所述雪崩三极管(Q1)导通时接收所述储能电容(C2)放电释放的能量以驱动半导体激光器产生脉冲激光的光脉冲产生电路(20)；所述微分电路(10)的输出端连接至所述雪崩三极管(Q1)的基极，所述雪崩三极管(Q1)的集电极经由一限流电阻(R3)连接至内部电源，所述雪崩三极管(Q1)的集电极还连接至储能电容(C2)的第一端，所述充电电路(30)和光脉冲产生电路(20)均连接在储能电容(C2)的第二端和所述雪崩三极管(Q1)的发射极之间接地，所述雪崩三极管(Q1)的发射极接地，其中，所述内部电源大于所述雪崩三极管(Q1)的一次击穿电压小于所述雪崩三极管(Q1)的二次击穿电压。