[发明专利]半导体绝缘电阻监控方法

摘要

本申请公开了一种半导体绝缘电阻监控方法，包括：提供待检测晶圆，晶圆的表面设有再造钝化层；测量再造钝化层表面的漏电流以确定再造钝化层表面的绝缘电阻的电阻值；判断电阻值是否满足合格条件；以及基于判断的结果执行相应的处理。本发明通过在线监控每片晶圆表面的绝缘电阻，主要是监控晶圆表面的再造钝化层的电阻，若当站发现异常产品，就及时进行蚀刻处理以去除再造钝化层表面的碳化层，避免发生产品电性能质量问题。本发明在不影响制造周期和监控成本的情况下实施半导体绝缘电阻的监控，判断影响晶圆绝缘电阻偏低的工艺，提高半导体产品的合格率。

主权项

1.一种半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，包括：提供待检测晶圆，所述晶圆的表面设有再造钝化层；测量所述再造钝化层表面的漏电流以确定所述再造钝化层表面的绝缘电阻的电阻值；判断所述电阻值是否满足合格条件；以及基于所述判断的结果执行相应的处理；在测量所述再造钝化层表面的漏电流之前，对所述再造钝化层的表面进行蚀刻处理以去除碳化层；所述基于所述判断的结果执行相应的处理，包括：若判断结果为满足合格条件，则执行后续半导体制作工艺；若判断结果为不满足合格条件，且所述蚀刻处理达到预定次数，则报废所述晶圆；若判断结果为不满足合格条件，且所述蚀刻处理未达到预定次数，则再次进行所述蚀刻处理以去除碳化层后，再次执行所述测量。