[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510793708.1 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106340456B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈昭雄;陈豪育;林其渊;赵元舜;李国龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在一种制造半导体装置的方法中，形成鳍片结构，包含第一半导体层、置于第一半导体层上的氧化层及置于氧化层上的第二半导体层。形成隔离绝缘层，使得鳍片结构内的第二半导体层突出自隔离绝缘层；而氧化层及第一半导体层则埋于阻隔绝缘层之中。形成第三半导体层于裸露的第二半导体层之上，以形成通道层。藉由此通道层以回复通道宽度，能进行氧化制程以完全形成氧化层，而毋须顾及通道宽度的减小。这使得形成氧化层的制程视窗(process window)变得更广。此外，由于能缩小鳍片结构的宽度(蚀刻制程后)，所以完全形成氧化层的时间可以缩短，因此降低热经历(thermal history)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成鳍片结构，其包含第一半导体层、置于所述第一半导体层上的氧化层及置于所述氧化层上的第二半导体层；形成隔离绝缘层，使得所述鳍片结构中的第二半导体层突出于所述隔离绝缘层并裸露出来，而所述氧化层及所述第一半导体层则埋于所述隔离绝缘层之中；以及形成第三半导体层于所述裸露的第二半导体层之上以形成半导体装置的通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
