[发明专利]存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，存储元件包括多个第一导线层、多个支撑结构以及电荷储存层。每一第一导线层沿着第一方向与第二方向所定义的平面延伸。每一第一导线层具有沿着第一方向延伸的多条第一导线。支撑结构位于相邻的第一导线层之间。支撑结构的形状与第一导线不同。电荷储存层覆盖第一导线上表面、下表面、两侧表面以及支撑结构的表面。

主权项

1.一种存储元件的制造方法，包括：/n提供一叠层，该叠层包括多个第一导线层以及多个第一材料层，这些第一材料层与这些第一导线层相互堆栈，其中这些第一导线层与这些第一材料层的材料不同，且这些第一材料层与这些第一导线层均沿着一第一方向与一第二方向所定义的平面延伸；/n于该叠层中形成多个支撑结构，每一支撑结构为一连续支撑结构，贯穿该叠层的这些第一导线层；/n于该叠层中形成多个开口，这些开口贯穿该叠层；以及/n进行一刻蚀工艺，自这些开口移除这些第一材料层，其中这些第一导线层、这些第一材料层与这些支撑结构的材料不同，且这些第一材料层与这些支撑结构的刻蚀选择比，以及这些第一材料层与这些第一导线层之间的刻蚀选择比大于或等于5。/n