[发明专利]硅基低漏电流四悬臂梁可动栅MOS管的RS触发器有效

专利信息
申请号: 201510380043.1 申请日: 2015-07-01
公开(公告)号: CN104935300B 公开(公告)日: 2017-08-04
发明(设计)人: 廖小平;王小虎 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03K3/012 分类号: H03K3/012;H03K3/02
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明的硅基低漏电流四悬臂梁可动栅MOS管的RS触发器由一个四悬臂梁可动栅NMOS管和两个电阻构成,该四悬臂梁可动栅NMOS管由源极,漏极,栅极组成,形成漏极‑源极‑漏极的结构,在源极和两个漏极之间分别有两个悬臂梁栅,源极左侧的两个悬臂梁栅的悬浮端之间留有一缝隙,两个悬浮端紧密相连的悬臂梁栅的位置关于该MOS管漏‑源‑漏方向对称,同样地,源极右侧的两个悬臂梁栅也是如此。在该触发器的源极左侧和右侧各有一个悬臂梁栅作为该RS触发器的输入端R和S,输出端在源极右侧的漏极和电阻之间输出,当该RS触发器工作时,当NMOS管处于关断时其悬臂梁栅就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了电路的功耗。
搜索关键词: 硅基低 漏电 悬臂梁 可动栅 mos rs 触发器
【主权项】:
一种硅基低漏电流四悬臂梁可动栅NMOS管的RS触发器,其特征是该RS触发器由一个四悬臂梁可动栅NMOS管(1)、两个电阻(2)和电源组成,该硅基低漏电流四悬臂梁可动栅NMOS管(1)制作在P型Si衬底(3)上,该四悬臂梁可动栅NMOS管(1)含有源极,漏极,栅极,形成漏极‑源极‑漏极的结构,在源极(10)和两个漏极(11)之间分别有两个用Al制作的悬臂梁栅(6),悬臂梁栅(6)不是附在氧化层上,而是依靠锚区(7)的支撑悬浮在二氧化硅层(5)的上方,悬臂梁栅(6)的下拉电压设计得与该NMOS管的阈值电压相等,只有当四悬臂梁可动栅NMOS管(1)的悬臂梁栅(6)上所加的电压大于NMOS管的阈值电压时,其悬臂梁栅(6)才能下拉并接触二氧化硅层(5)从而使悬臂梁栅NMOS管导通,当所加电压小于NMOS管的阈值电压时悬臂梁栅就不能下拉,在该RS触发器工作时,当四悬臂梁可动栅NMOS管(1)处于关断时其悬臂梁栅(6)就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了电路的功耗,源极(10)左侧两个悬臂梁栅(6)的悬浮端之间留有一缝隙以保证两个悬臂梁栅(6)下拉时互不干扰,两个悬臂梁栅(6)的位置关于该NMOS管漏‑源‑漏方向对称,同样地,源极(10)右侧的两个悬臂梁栅(6)也是如此;该四悬臂梁可动栅NMOS管(1)的悬臂梁栅(6)的锚区(7)用多晶硅制作在二氧化硅层(5)上,悬臂梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8),下拉电极板(8)接地,下拉电极板(8)在悬臂梁栅(6)下的部分被二氧化硅层(5)覆盖,该四悬臂梁可动栅NMOS管(1)的N+有源区源极(10)接地,四悬臂梁可动栅NMOS管(1)的两个漏极(11)分别通过电阻(2)与电源VCC相连,源极(10)和漏极(11)分别通过通孔(9)与引线(4)连接,引线(4)用Al制作;在该RS触发器的源极(10)左侧和右侧各有一个悬臂梁栅(6)作为该RS触发器的输入端S和R,源极(10)左侧另外的一个悬臂梁栅(6)通过引线(4)与右侧的漏极(11)相连,同样地,源极右侧另外一个悬臂梁栅(6)通过引线与左侧的漏极(11)相连,形成对称的结构,输出端Q在源极右侧的漏极(11)和电阻(2)之间输出,输出端在源极左侧的漏极(11)和电阻(2)之间输出,为了保证当该NMOS管导通时由电阻分压得出输出为低电平,电阻(2)的阻值远大于该NMOS管导通的阻抗。
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  • 本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种阈值电压可配置的数据采样器,包括数据差分输入对管M1和M2,参考信号差分输入对管M5和M6,5个时钟控制开关M10,M11,M16,M17和M19,交叉耦合对M12‑M13,M14‑M15;本发明阈值电压可配置。在不考虑参考信号的影响,则流经P、Q两点的电流之差是由差分输入电压差Vin_p‑Vin_n决定,但是由于参考信号的影响,电流差实际是取决于(Vin_p‑Vin_n)+(Vref_p‑Vref_n)。换句话说,参考信号可以调节差分输入的比较阈值,实现了阈值电压可配置的特点。本发明电路中避免了直流通路,功耗消耗仅发生在电容充放电时刻,因此相比于其他同类产品具有低功耗的特点。
  • 一种单路比较的振荡器和电源管理芯片-201610250942.4
  • 杨智昌;左事君 - 深圳创维-RGB电子有限公司;深圳创维半导体设计中心有限公司
  • 2016-04-21 - 2018-10-26 - H03K3/012
  • 本发明公开了一种单路比较的振荡器及电源管理芯片,包括:充放电偏置模块、开关模块、储能模块和单路比较模块;所述单路比较模块将其内设的阈值电压与储能模块的电压进行比较,判断储能模块的电压达到预设条件时,根据当前储能模块的电压输出对应的电平,并根据所述电平控制开关模块内充放电通路的通断;充放电偏置模块根据充放电通路的通断状态对储能模块进行充放电;由于单路比较模块只有一路输入就能实现将输入的储能模块的电压与内设的阈值电压比较的功能,可替换现有的比较器,从而降低了整体电路的功耗,节省了芯片的版图面积。
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