[发明专利]用于降低激光退火中的光束不稳定性的系统和方法有效

申请号：	201510349565.5	申请日：	2015-06-23
公开（公告）号：	CN105206519B	公开（公告）日：	2019-12-13
发明（设计）人：	J·T·麦克沃特;A·哈夫雷鲁克;S·阿尼基蒂切夫;M·萨法	申请（专利权）人：	超科技公司
主分类号：	H01L21/268	分类号：	H01L21/268;H01L21/67
代理公司：	11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	申发振
地址：	美国加***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本发明涉及用于降低激光退火中的光束不稳定性的系统和方法。该方法包括：利用光束重定向元件引导调节激光束通过光圈中的开口；通过将所述光圈成像在所述半导体晶片的所述表面处，来在所述半导体晶片的所述表面上形成线图像，由此局部加热所述半导体晶片的所述表面，以形成退火温度分布；探测来自所述半导体晶片的局部加热表面的热发射；根据探测的热发射来确定所述退火温度分布；从所述退火温度分布来确定包括斜率的时变量的线图像强度分布曲线；以及调节所述光束重定向元件以重定向所述调节激光束，以减小或消除所述线图像强度分布曲线中的斜率的时变量。
搜索关键词：	用于降低激光退火中的光束不稳定性系统方法
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【主权项】：

1.一种在半导体晶片的表面的激光退火期间形成线图像的方法，所述方法包括：/n利用光束重定向元件引导在第一方向上的调节激光束通过光圈中的开口；/n通过使用所述调节激光束将所述光圈成像在所述表面上，来在所述半导体晶片的所述表面上形成线图像，由此局部加热所述表面以形成退火温度分布；/n探测来自该局部加热的晶片表面的热发射；/n根据探测到的热发射来确定所述退火温度分布；/n根据所述退火温度分布来确定包括斜率的时变量的线图像强度分布曲线；以及/n调节所述光束重定向元件以重定向所述调节激光束在第二方向上行进以通过所述光圈中的所述开口，以减小或消除所述线图像强度分布曲线中的斜率的时变量。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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