[发明专利]基于表面等离激元效应的有机太阳电池结构及制备方法在审
| 申请号： | 201510272231.2 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN104993055A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 卢树弟;曲胜春;刘孔;池丹;李彦沛;寇艳蕾;岳世忠;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于表面等离激元效应的有机太阳电池结构，包括：一阳极透明导电衬底；一三明治结构的空穴传输层，其制作在阳极透明导电衬底上，该空穴传输层的中间为一层金属纳米颗粒，形成三明治结构；一有源层，其制作在空穴传输层上；一缓冲层，其制作在有源层上；一阴极，其制作在缓冲层上。本发明一方面要充分发挥等离激元近场增强的效果，增强太阳电池的光吸收，从而增大光电流；另一方面，要避免金属纳米颗粒与有源层直接接触，形成电荷复合中心，产生大的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 离激元 效应 有机 太阳电池 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于表面等离激元效应的有机太阳电池结构，包括：一阳极透明导电衬底；一三明治结构的空穴传输层，其制作在阳极透明导电衬底上，该空穴传输层的中间为一层金属纳米颗粒，形成三明治结构；一有源层，其制作在空穴传输层上；一缓冲层，其制作在有源层上；一阴极，其制作在缓冲层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510272231.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
