[发明专利]一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法有效
| 申请号： | 201510254973.2 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105022115B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张娟;邹俊辉;华东 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种一维级联等离子体光子晶体及其全方位带隙最大化设计方法。本级联光子晶体的相级联光子晶体（PC）的多个帯隙，通过使相级联的PC的多个帯隙在所有的入射角范围内对TM和TE的所有偏振态光都能够彼此衔接来进行。本发明设计方法适用于等离子体光子晶体级联结构，且基于该方法设计得到的全方位反射器具有最大的全方位光子帯隙。 | ||
| 搜索关键词： | 级联 等离子体 光子 晶体 及其 全方位 最大化 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一维级联等离子体光子晶体，由电介质层和等离子体层交替叠合构成，其特征在于：充分利用PC的多个帯隙，通过使n个相级联的PC的n个帯隙在所有的入射角范围内对TM和TE的所有偏振态光都能够彼此衔接来进行；在所有的入射角范围内对TM和TE的所有偏振态光，PC2的第一个帯隙的下限与PC1的第一个帯隙的上限相衔接，PC2的第一个帯隙的上限与PC1的第二个帯隙的下限相衔接，PC2的第二个帯隙的下限与PC1的第二个帯隙的上限相衔接，PC2的第二个帯隙的上限与PC1的第三个帯隙的下限相衔接，依次类推至n级PC，n为除零外的自然数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510254973.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光纤熔接方法
- 下一篇：一种具有反光功能的饰品及其制备方法
