[发明专利]具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器有效
| 申请号： | 201510154890.6 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN106158010B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 杨海钢;李天文;蔡刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元。该SRAM存储单元包括：存储单元本体和加固电路。其中，存储单元本体包括：第一反相器，其具有第二存储节点；第二反相器，其具有第一存储节点。加固电路包括：偏置电压控制单元；第一延时单元，连接于第一反相器和第一存储节点之间；第二延时单元，连接于第二反相器和第二存储节点之间；其中，所述偏置电压控制单元为第一延时单元和第二延时电压提供偏置电压，令两者的延时大于单粒子瞬态的脉冲宽度。本发明中，延时单元延时越大，修改加固存储单元所需的电平扰动时间越大，越不容易因单粒子效应引起存储数据错误，实现高抗单粒子翻转能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 粒子 翻转 功能 sram 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元，其特征在于，包括：存储单元本体，包括：第一反相器，其具有第二存储节点n2；第二反相器，其具有第一存储节点n1；以及加固电路，包括：偏置电压控制单元；第一延时单元，连接于第一反相器和第一存储节点n1之间；第二延时单元，连接于第二反相器和第二存储节点n2之间；其中，所述偏置电压控制单元为第一延时单元和第二延时单元提供偏置电压，令两者的延时大于单粒子瞬态的脉冲宽度。
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