[发明专利]可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构有效
| 申请号： | 201510093713.1 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104681374B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射‑接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 可以 减少 aln 阴极 表面 氧化 电子 接收 结构 | ||
【主权项】：
一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射‑接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。
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