[发明专利]发射区In含量渐变集电区高In过渡层的RTD器件

摘要

一种发射区In含量渐变集电区高In过渡层的RTD器件，有由下至上依次形成的衬底、缓冲层和发射区电极接触层，发射区电极接触层上分别形成有发射区和发射区金属电极，发射区上由下至上依次形成有渐变In含量结构、发射区隔离层及渐变In含量结构、第一势垒、势阱、第二势垒、第一高In含量过渡层、第二高In含量过渡层、隔离层、集电区、集电区电极接触层和集电区金属电极。本发明采用发射区In含量的渐变结构，可有效降低峰值电压，从而增大输出功率。减小发射极面积，从而减小器件尺寸，减小寄生电容，由此可提高RTD的响应频率。因此，本发明响应频率高，输出功率大，制备容易，集成度高。

主权项

一种发射区In含量渐变集电区高In过渡层的RTD器件，其特征在于，包括有由下至上依次形成的衬底(1)、缓冲层(2)和发射区电极接触层(3)，所述发射区电极接触层(3)上分别形成有发射区(4)和发射区金属电极(16)，所述发射区(4)上由下至上依次形成有渐变In含量结构(5)、发射区隔离层及渐变In含量结构(6)、第一势垒(7)、势阱(8)、第二势垒(9)、第一高In含量过渡层(10)、第二高In含量过渡层(11)、隔离层(12)、集电区(13)、集电区电极接触层(14)和集电区金属电极(15)。