[发明专利]用于增强互连的抗断裂性的技术有效
| 申请号： | 201480003746.6 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104885200B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | C·J·杰泽斯基;M·J·科布林斯基;D·潘图索;S·B·宾加德;M·P·奥戴 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于通过增加过孔密度来增强后端互连以及其它这种互连结构的抗断裂性的技术和结构。可以例如在管芯内的相邻电路层的填充物/虚设部分内提供增加的过孔密度。在一些情况下，上部电路层的电隔离的(浮置)填充物线可包括过孔，所述过孔着陆到在与所述填充物线跨越/交叉的位置处相对应的区域中的下部电路层的浮置填充物线上。在一些这种情况下，所述上部电路层的所述浮置填充物线可形成为包括该过孔的双镶嵌结构。在一些实施例中，过孔类似地可提供在所述上部电路层的浮置填充物线与所述下部电路层的充分电隔离的互连线之间。所述技术/结构可用于为所述管芯提供机械完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 互连 断裂 技术 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：第一电路层，所述第一电路层包括第一填充物线；以及第二电路层，所述第二电路层相邻于所述第一电路层，所述第二电路层包括第二填充物线，其中，所述第二填充物线包括将所述第二填充物线锚定到所述第一填充物线的第一锚定结构；其中，所述第一填充物线和所述第二填充物线中的至少一个是电浮置的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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