[发明专利]一种GaN基薄膜晶体管结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种GaN基薄膜晶体管结构及其制备方法。所述薄膜晶体管结构包括基板、绝缘介质膜、电极、晶体管的外延层和钝化介质膜。制备方法中，外延片制备好电极后，键合到绝缘基板上，然后去除原来的衬底，并减薄GaN缓冲层，最后沉积绝缘钝化膜。晶体管外延层的原有衬底及部分质量较差的半导体薄膜被去除，剩余的半导体薄膜晶体质量较高，具有很高的电阻，晶体管的漏电流可以显著降低。另外薄膜晶体管的源漏电极与导热基板直接连接，使晶体管的散热性能更好。

主权项

一种GaN基薄膜晶体管结构，其特征在于包括绝缘基板、绝缘介质膜、电极、GaN外延层和钝化介质膜；所述电极包括源电极、栅电极和漏电极，绝缘基板两面分别设有导电电极和键合电极，导电电极和键合电极之间通过绝缘基板中的导电通孔电气连接；绝缘介质膜位于绝缘基板的导电电极和外延层之间，钝化介质膜沉积在外延层外表面上，所述源电极、栅电极和漏电极位于外延层的同一侧或源电极和漏电极位于外延层的同一侧而栅电极位于外延层的另一侧；当源电极、栅电极和漏电极位于外延层的同一侧时，薄膜晶体管自下而上包括所述绝缘基板、源漏栅电极、绝缘介质膜、外延层、钝化介质膜，所述源漏栅电极即源电极、栅电极和漏电极，绝缘基板具有的三个键合电极分别与源电极、栅电极和漏电极对齐并贴合在一起；当源电极和漏电极位于外延层的同一侧而栅电极位于外延层的另一侧时，薄膜晶体管自下而上包括所述绝缘基板、源漏电极、绝缘介质膜、外延层、栅电极、钝化介质膜，钝化介质膜不覆盖栅电极，所述源漏电极即源电极和漏电极，绝缘基板具有的两个键合电极分别与源电极和漏电极对齐并贴合在一起。