[发明专利]一种钌配合物/石墨烯复合膜和在HOPG上制备钌配合物/石墨烯复合膜的方法在审
| 申请号： | 201410839890.5 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104600133A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钌配合物/石墨烯复合膜和在HOPG上制备钌配合物/石墨烯复合膜的方法，属于分子自组装化学技术领域。该钌配合物/石墨烯复合膜中对称性钌配合物分子中的一对芘基与HOPG表面通过非共价键的作用，将钌配合物分子固定在HOPG表面，另一对芘基与具有网状结构的π-电子环境的石墨烯通过π-π相互作用，将石墨烯固定在钌配合物单分子膜上，该对称性钌配合物的化学式为[Ru(Py2G1MeBip)2](PF6)2。首先在HOPG基片上自组装钌配合物单分子膜，然后配制石墨烯分散液，最后石墨烯自组装在经钌配合物修饰的HOPG基片上。本发明制备的薄膜具有良好的机械和化学稳定性，薄膜的厚度可控等诸多优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 配合 石墨 复合 hopg 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钌配合物/石墨烯复合膜，其特征在于：该钌配合物/石墨烯复合膜中对称性钌配合物分子中的一对芘基与HOPG表面通过非共价键的作用，将钌配合物分子固定在HOPG表面，另一对芘基与具有网状结构的π‑电子环境的石墨烯通过π‑π相互作用，将石墨烯固定在钌配合物单分子膜上，该对称性钌配合物[Ru(Py2G1MeBip)2](PF6)2的化学通式如下：![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
