[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410837905.4 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789203B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 梁海慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有接触孔开口；步骤S2：对所述接触孔开口进行预清洗；步骤S3：分别选用硫酸双氧水混合试剂和一号标准清洗试剂进行湿法剥离，以去除接触孔开口中的蚀刻聚合物。本发明所述方法中在形成接触孔开口之后，首先执行预清洗的步骤，例如选用水或者双氧水等进行预清洗，然后选用SPM和SC1进行湿法剥离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物，由于执行了预清洗步骤，能够容易将粘度较大的硫酸双氧水混合试剂(SPM)滴入到所述接触孔开口中，使硫酸双氧水混合试剂(SPM)与蚀刻聚合物充分的反应，以更容易的去除所述蚀刻聚合物，避免接触孔缺失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有接触孔开口；步骤S2：对所述接触孔开口进行预清洗；步骤S3：分别选用硫酸双氧水混合试剂和一号标准清洗试剂进行湿法剥离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
