[发明专利]一种基于二维双频光栅剪切干涉的纳米级检焦方法有效

专利信息
申请号: 201410479923.X 申请日: 2014-09-19
公开(公告)号: CN104199258A 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 朱咸昌;胡松;赵立新 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 杨学明;顾炜
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种基于二维双频光栅剪切干涉的纳米级检焦方法,其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置,完成硅片的高精度调平和调焦。检测系统通过二维光栅在子午面和弧矢面由两类不同频率的光栅剪切干涉,根据测量子午和弧矢面内4个区域的干涉条纹位相差异,计算相应区域的高度差,从而完成光刻机硅片的高精度检焦。该检测系统具有剪切干涉系统共光路特性,系统结构简单,具有较高的抗干扰能力和较好的工艺适应性;利用相应探测器同时完成硅片曝光区域边缘4个位置高度差测量,同步完成硅片的检焦和调平测量,适用于大面积曝光系统的高精度、实时性测量。
搜索关键词: 一种 基于 二维 双频 光栅 剪切 干涉 纳米 级检焦 方法
【主权项】:
一种基于二维双频光栅剪切干涉的纳米级检焦方法,其特征在于:检焦系统由光源及扩束准直系统、二维双频光栅(G1)、第一透镜(L1)和第二透镜(L2)组成的前置物镜组Ⅰ、第三透镜(L3)和(L4)组成的后置物镜组Ⅱ组成;光源出射光经过准直扩束后以平面波前入射二维双频光栅(G1),二维双频光栅(G1)同级次的高频衍射光束和低频衍射光束产生微小错位,形成剪切干涉,经过前置物镜组Ⅰ和后置物镜组Ⅱ后,携带有硅片不同区域的高度信息的光束在CCD探测器中干涉成像,通过测量不同区域干涉条纹的位相差完成其对应的高度测量,从而完成硅片的检焦测量。
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