[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201410443006.6 申请日: 2014-09-02
公开(公告)号: CN104425512B 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 金兑炅;薛光洙;曹盛纯;许星会;姜真泰 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/11519;H01L27/1157;H01L29/792;H01L29/423
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 翟然
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体器件包括字线和绝缘图案的叠层。单元柱垂直地延伸穿过所述字线和绝缘图案的叠层,存储单元形成在单元柱和字线的交汇处。字线的厚度与直接相邻的绝缘图案的厚度的比例沿所述单元柱中的一个或多个在不同的位置处不同。还公开了相关的制造方法和系统。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:基板;叠层,包括垂直地堆叠在所述基板上的多个字线和绝缘图案、堆叠在所述多个字线和绝缘图案上的上选择线、以及插设在所述基板与所述多个字线和绝缘图案之间的下选择线,相应的所述绝缘图案被夹设在相邻的所述字线之间;以及多个单元柱,垂直地延伸穿过包括所述多个字线和绝缘图案、所述上选择线和所述下选择线的所述叠层,存储单元形成在所述单元柱和所述字线的交汇处,其中所述叠层的第一部分包括具有第一厚度的第一字线,所述叠层的第二部分包括每个具有第二厚度且一个与另一个相邻的多个第二字线,所述叠层的第三部分包括具有第三厚度的第三字线,所述第二厚度不同于所述第一厚度和所述第三厚度,以及其中所述叠层的第一部分靠近所述下选择线,所述叠层的第三部分靠近所述上选择线,且所述叠层的第二部分插设在所述叠层的第一部分和所述叠层的第三部分之间。
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