[发明专利]自适应光掩模及其使用方法有效
申请号: | 201410407557.7 | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN104423139B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | N·Y·谭 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种自适应光掩模及其使用方法。这里所描述的实施例涉及利用光掩蔽处理对基板进行掩蔽的方法、设备和系统。描述了一种被配置成根据基板上的表面特征的规格生成光掩蔽图案的自适应光掩模。所述自适应光掩模可以被用来创建对应于各个单独基板的定制光掩模图案。这里所描述的方法和设备可以被使用在其中制造由于内在容差而具有微小差异的类似部件的制造处理中。这里所描述的方法和设备还可以被使用在涉及掩蔽部件的三维部分的制造处理中。描述了一种包括用于扫描基板表面的平移机制的光掩蔽系统。 | ||
搜索关键词: | 自适应 光掩模 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种用于使用可配置孔径动态地激活布置在基板表面上并且与至少一项表面特征相关联的光致抗蚀剂层的相应部分的方法,所述方法包括:(a)接收与所述至少一项表面特征相关联的规格数据集合,所述规格数据集合包括对应于所述至少一项表面特征的边界的数据;以及(b)根据所接收到的规格数据集合调节所述可配置孔径的透射部分的尺寸和形状,所述透射部分允许被用来激活光致抗蚀剂层的相应部分的能量穿过。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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