[发明专利]具有不同沟道材料的多层半导体器件结构有效
| 申请号： | 201410345120.5 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104637916B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 林以唐;万幸仁;柯志欣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。一个示例性半导体器件结构包括第一器件层和形成在第一器件层上的第二器件层。第一器件层形成在衬底上，且包括配置为传导第一电流的第一沟道结构，第一沟道结构包括能够承受第一加工温度的第一材料。第二器件层包括配置为传导第二电流的第二沟道结构，第二沟道结构包括能够承受第二加工温度的第二材料，第二加工温度等于或低于第一加工温度。本发明还涉及具有不同沟道材料的多层半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 器件层 半导体器件结构 沟道结构 沟道材料 加工 多层 传导 第二材料 第一材料 衬底 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：第一器件层，形成在衬底上并包括配置为传导第一电流的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括能够承受第一加工温度的第一材料；以及第二器件层，形成在所述第一器件层上并包括配置为传导第二电流的第二沟道结构，所述第二沟道结构包括能够承受第二加工温度的第二材料，所述第二加工温度等于或小于所述第一加工温度，其中，所述第一材料还能够承受与制造所述第一器件层的工艺的持续时间成正比的第一热预算、与制造所述第二器件层的工艺的持续时间成正比的第二热预算以及与所述第一器件层和所述第二器件层之间的接合界面的固结相关的第三热预算，其中，所述第二器件层由绝缘体上硅结构制造。
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