[发明专利]一种校正MEMS计时时钟的溢出补偿方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410331284.2 申请日: 2014-07-11
公开(公告)号: CN104143960A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 张斌阳;张明雄;傅有炜;徐晨曦 申请(专利权)人: 钜泉光电科技(上海)股份有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 徐秋平
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种校正MEMS计时时钟的溢出补偿方法及装置,该方法包括:获取当前温度值下MEMS计时时钟的初始频率误差值;计算需要获得频率所需要的降频参数;以初始频率误差值为初始值进行依次累加,当累加值数值大于等于1时发生溢出1;当数值小于等于-1时发生溢出-1;当数值大于-1且小于1时不发生溢出;采用值为降频参数与溢出值之和的降频比对MEMS计时时钟的实际输出频率进行降频,获得需要的频率。本发明运用0/1序列平均化MEMS计时时钟在某一温度下的初始频率误差值,实现了双向溢出补偿,扩展方案简单易行,具有成本优势。
搜索关键词: 一种 校正 mems 计时 时钟 溢出 补偿 方法 装置
【主权项】:
一种校正MEMS计时时钟的溢出补偿方法,其特征在于,所述校正MEMS计时时钟的溢出补偿方法包括:获取当前温度值下MEMS计时时钟的初始频率误差值res,0≤|res|<1;计算需要获得频率所需要的降频参数M;其中,F表示MEMS计时时钟在当前温度值下的实际输出频率值,F0表示MEMS计时时钟的标准输出频率值;r表示分频比,随着初始频率误差值res的变化而变化,故有M‑1≤rmin≤r≤rmax≤M+1,M为大于零的正整数;以res为初始值进行依次累加,即sum=sum+res,当累加值sum数值大于等于1时发生溢出1,即溢出值ov=1;当sum数值小于等于‑1时发生溢出‑1,即溢出值ov=‑1;当sum数值大于‑1且小于1时不发生溢出,即溢出值ov=0;采用降频比R=M+ov对MEMS计时时钟的实际输出频率F进行降频,获得需要的频率f0。
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  • 2018-12-17 - 2019-08-20 - H03B5/04
  • 本实用新型主要提出一种内置补偿的振荡器,包括:振荡频率产生电路,所述的振荡频率产生电路包括第一比较器、第二比较器和R_S触发器;在第一比较器的同相输入端接入第一参考电平VREF2P4,第二比较器的异相输入端接入第二参考电平VREF1P2,第一比较器的异相输入端和第二比较器的同相输入端接入一个三角波信号;所述的第一比较器和第二比较器的输出端分别R_S接触发器的R端和S端,R_S接触发器的Q端输出震荡信号CLK;所述的三角波信号发生器包括启动电路、偏置电流产生电路、电容充电电路;本实用新型中,将RC电路用MOS管替代,不需要外置RC电路。
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  • 可集成式硅振荡器结构,其特征在于:所述的可集成式硅振荡器结构,有三种谐振器的结构,MEMS芯片与CMOS集成电路通过键合工艺集成在一起,在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器,单独的MEMS硅谐振器,集成电路芯片也是单独的。一种可集成式硅振荡器结构的制备方法,其特征在于:在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器,单独的MEMS硅谐振器,集成电路芯片也是单独的;键合工艺可以是共晶键合、硅‑硅直接键合、玻璃浆料键合等工艺的一种;在CMOS集成电路上直接制备硅振荡器;单独MEMS硅振荡器。本发明的优点:防震效果是传统石英晶振产品的25倍,具有不受振动影响、不易碎的特点。还具有可集成度高、可编程、尺寸小、功耗小等优点。
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  • 2018-11-21 - 2019-05-28 - H03B5/04
  • 提供温度补偿型石英振荡器以及电子设备。该温度补偿型石英振荡器具有:石英振子;第一和第二MOS型可变电容元件,它们分别具有与石英振子的第一或第二电极电连接的一端;温度补偿电路,其将与温度对应地变化的温度补偿电压施加到第一和第二MOS型可变电容元件的另一端,第一MOS型可变电容元件具有:第一背栅,其配置在半导体衬底内;以及N型的第一栅电极,其隔着绝缘膜配置在第一背栅上;第二MOS型可变电容元件具有:第二背栅,其配置在半导体衬底内,具有与第一背栅相同的导电类型;以及P型的第二栅电极,其隔着绝缘膜配置在第二背栅上。
  • 一种动态调整型低功耗低相位噪声压控振荡器-201910093636.8
  • 栗强 - 深圳旺凌科技有限公司上海分公司
  • 2019-01-30 - 2019-05-28 - H03B5/04
  • 本发明公开了一种动态调整型低功耗低相位噪声压控振荡器,包括压控振荡器本体,压控振荡器本体包括一第1电路、一第2电路、一变容二极管数组电路、一高质量电感器、一偏置控制电路、一第2偏置电路,以及一反馈电路,第1电路及第2电路被组态成一组交叉耦合互补对,反馈电路被耦合至交叉耦合互补对;反馈电路包括一比较电路,比较电路包括一第1差动输入、一第2差动输入、一第3差动输入、一第4差动输入、一第1输出节点及一第2输出节点。本发明压控振荡器实现了在制程、电压以及温度变化下的启动功能,并为物联网系统单芯片的射频收发器架构提供极低的功耗,压控振荡器可达成比环形振荡器VCO组态更低的相位噪声。
  • 振荡器、时脉产生器以及时脉信号的产生方法-201510492366.X
  • 张智翔;陈志宏 - 联咏科技股份有限公司
  • 2015-08-12 - 2019-05-21 - H03B5/04
  • 本发明提供一种振荡器、时脉产生器以及时脉信号的产生方法,振荡器用以产生振荡信号;振荡器包括晶体管对以及交叉耦合晶体管对。晶体管对耦接至第一电流源,并具有第一转导值;第一转导值反应第一电流源的电流值来改变;交叉耦合晶体管对耦接至第二电流源,并具有第二转导值;第二转导值反应于第二电流源的电流值来改变;交叉耦合晶体管对通过多个电感器与晶体管对相互耦合;振荡信号的频率依据第一转导值以及第二转导值来决定。本发明能够补偿因温度变化或制成变异而飘移的振荡频率。
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