[发明专利]光刻方法以及工艺腔室在审
| 申请号： | 201410201386.2 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105093821A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李高荣;郑喆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻方法以及工艺腔室，所述光刻方法包括：将晶圆放入涂布腔室中，将涂布腔室中的气压设置为第一气压，在所述晶圆表面进行第一旋涂，在所述晶圆表面覆盖光刻材料层；进行第一旋涂之后，进行第一降压步骤，使涂布腔室中的气压从第一气压下降为第二气压；在所述晶圆表面进行第二旋涂；对所述光刻材料层进行固化处理；对覆盖有光刻材料层的晶圆进行光刻。在所述晶圆表面上进行第一旋涂以后，进行第一降压步骤，能够使得光刻材料层中的气泡随气压下降而被挤出或破掉，这样经过第二旋涂、固化处理后的光刻材料层中不容易存在气泡，能够有效提高光刻的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 以及 工艺 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，其特征在于，包括：提供晶圆；将晶圆放入涂布腔室中，将涂布腔室中的气压设置为第一气压，在所述晶圆表面进行第一旋涂，在所述晶圆表面覆盖光刻材料层；进行第一旋涂之后，进行第一降压步骤，使涂布腔室中的气压从第一气压下降为第二气压；使涂布腔室中的气压恢复为第一气压，在所述晶圆表面进行第二旋涂，所述第二旋涂的步骤中晶圆的转速大于第一旋涂步骤中晶圆的转速；对所述光刻材料层进行固化处理；对覆盖有光刻材料层的晶圆进行光刻。
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