[发明专利]具有垂直二极管结的光传感器有效

申请号：	201410151172.9	申请日：	2014-03-14
公开（公告）号：	CN104051552B	公开（公告）日：	2019-09-17
发明（设计）人：	N·D·谢内斯;C·F·爱德华兹;K·特兰;J·T·琼斯;P·帕尔瓦兰德	申请（专利权）人：	马克西姆综合产品公司
主分类号：	H01L31/0352	分类号：	H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	蔡胜利
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本发明描述了一种包括集成在其中的沟槽结构的光传感器。在一实施方式中，所述光传感器包括具有第一导电类型掺杂材料的基底，和设置在所述基底中的多个沟槽。所述光传感器还包括接近所述多个沟槽形成的扩散区。所述扩散区包括第二导电类型的掺杂材料。在第一导电类型的掺杂材料和第二导电类型的掺杂材料的界面处生成有耗尽区。所述耗尽区构造为将电荷载流子吸引到所述耗尽区，所述电荷载流子的至少基本上大部分由于入射到所述基底上的光而产生。
搜索关键词：	具有垂直二极管传感器
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【主权项】：

1.一种光传感器，包括：具有第一导电类型的掺杂材料的基底；设置在基底内的多个沟槽，所述多个沟槽包括第一子组沟槽和第二子组沟槽，所述第一子组沟槽垂直于所述第二子组沟槽并与所述第二子组沟槽相邻；和接近所述多个沟槽设置的扩散区，所述扩散区具有第二导电类型的掺杂材料，相应子组沟槽由所述扩散区封闭，其中在所述第一导电类型的掺杂材料和所述第二导电类型的掺杂材料的界面处产生有耗尽区，所述耗尽区构造为引起电场产生并因而吸收由红外光谱中的光所产生的电子空穴对，所述耗尽区延伸超过相应子组沟槽的深度。

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申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明涉及一种无机钙钛矿太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明主要是克服现有技术中的不足之处，提出一种无机钙钛矿太阳能电池及制备方法，包括依次在透明导电基板上制备电子传输层、无机钙钛矿吸光层、前氧化空穴传输层、碳电极；制备所述前氧化空穴传输层的具体过程为：将通氧氧化的Spiro‑OMeTAD溶液通过旋涂方法制备而成。本发明采用将空穴提前氧化的方法，能够在空穴溶液制备成空穴传输层之前将其氧化，避免无机钙钛矿在空穴氧化的过程中与水的接触，从而避免无机钙钛矿太阳能电池在制备过程中对其自身的损耗，保证实验的成功率与可靠性。

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摘要：本发明描述了一种包括集成在其中的沟槽结构的光传感器。在一实施方式中，所述光传感器包括具有第一导电类型掺杂材料的基底，和设置在所述基底中的多个沟槽。所述光传感器还包括接近所述多个沟槽形成的扩散区。所述扩散区包括第二导电类型的掺杂材料。在第一导电类型的掺杂材料和第二导电类型的掺杂材料的界面处生成有耗尽区。所述耗尽区构造为将电荷载流子吸引到所述耗尽区，所述电荷载流子的至少基本上大部分由于入射到所述基底上的光而产生。

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摘要：本发明公开了一种含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置，涉及半导体技术领域。该含铝多量子阱激光芯片的制造方法包括：在基板上生成含铝的多量子阱层；借助于刻蚀阻挡层对多量子阱层进行刻蚀以生成台面结构；在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡，以实现对所述含铝的多量子阱层界面的钝化处理；在包含经钝化处理后的所述含铝的多量子阱层界面的所述台面结构上生成反向阻挡层；以及去除刻蚀阻挡层并在反向阻挡层和台面结构上依次形成包层和电接触层。本公开可以防止含铝多量子阱被氧化，进而提高激光芯片的可靠性。

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摘要：一种光电二极管及其形成方法，光电二极管包括：基底，所述基底包括中心区域；位于基底中心区域中的若干分立的凹槽，所述凹槽具有槽底面和槽侧面，所述槽侧面位于槽底面周围且和槽底面相交，所述槽侧面与槽底面之间的夹角为钝角；N型掺杂层，所述N型掺杂层位于所述凹槽底部和凹槽周围的基底中心区域中，且N型掺杂层的表面为基底中心区域的表面。所述光电二极管的可靠性得到提高。

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摘要：本发明涉及光伏领域，具体涉及一种开槽电池片及电池片组件。所述开槽电池片包括电池片本体，所述电池片本体的正面设有主栅线，靠近所述主栅线端头位置处的电池片本体上开设有凹槽；所述主栅线上铺设有第一焊接层，电池片本体背面铺设有与所述第一焊接层位置相对应的第二焊接层，所述第一焊接层的前、后两端和第二焊接层的前、后两端分别形成前焊接端头和后焊接端头。所述电池片组件包括多个所述的开槽电池片，并且前一开槽电池片上的第二焊接层与当前开槽电池片上的第一焊接层之间通过折弯焊带相连；所述折弯焊带穿过所述凹槽。所述开槽电池片及电池片组件能够该技术能够提升组件效率，降低电池片裂片风险，同时能够降低单片成本。

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一种红外探测器及其制备方法-201611160619.4
发明人：黄勇;熊敏;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种红外探测器，从下至上依次包括：衬底、p型InAs/GaSb超晶格下接触层、p型InAs/GaSb超晶格吸收层、InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs超晶格势垒层、p型InAs/GaSb超晶格上接触层；以及，设置于p型InAs/GaSb超晶格下接触层的上端面的下电极和设置于p型InAs/GaSb超晶格上接触层的上端面的上电极。本发明使用无Al的InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs W型超晶格作为势垒层，材料容易外延生长，并且长期稳定性和可靠型较高。

一种印刷金属电极的钝化太阳能电池-201822233558.0
发明人：林建伟;包杰;吴伟梁;刘志锋;陈嘉;吴兴华 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本实用新型涉及一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括n+掺杂多晶硅层、背钝化减反射薄膜、n+金属电极；所述N型晶体硅基体靠近所述n+掺杂多晶硅层的一侧形成有掺杂多晶硅带尾层。延长金属接触区域掺杂多晶硅层的带尾，增加掺杂原子在晶体硅中扩散的深度，降低金属接触区域的复合；保持非金属接触区域的掺杂多晶硅层带尾较浅，降低非金属接触区域的复合；工艺简单，第一区域和第二区域的n+掺杂多晶硅层通过一次掺杂即可完成，涉及的工艺过程均已经产业化，适合大规模生产；可以显著降低金属接触复合和电阻损失，提高电池的开路电压和转换效率。

一种电池外延结构和太阳能电池-201920103951.X
发明人：罗轶;张新勇;宋士佳 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本实用新型提供一种电池外延结构和太阳能电池。该电池外延结构包括衬底和电池层，衬底包括一个翘曲的面，还包括翘曲调节层，翘曲调节层设置于衬底与电池层之间，翘曲调节层为含铝材料和/或含铟材料，翘曲调节层中铝的含量和/或铟的含量根据衬底的翘曲面的翘曲尺寸确定，以使翘曲调节层的远离衬底的一面的翘曲值在目标范围内。该电池外延结构通过设置含铝材料和/或含铟材料的翘曲调节层，并调节其中的铝的含量和/或铟的含量，能够将由衬底的翘曲所导致的电池层的翘曲调整至目标范围内，从而使电池层基本处于平整状态，其内部基本不会出现晶格缺陷，进而不仅确保了该电池外延结构的良率，而且确保了该电池外延结构的光电转化效率。

雪崩光电二极管及其制造方法-201610362765.9
发明人：刘东庆 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明提出了一种雪崩光电二极管及其制造方法，该雪崩光电二极管的感光区与第一导电类型掺杂区以及第二导电类型掺杂区完全隔离，感光面积不受工作电压与雪崩增益的影响，而且感光区被所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区围绕，能够有效降低边缘漏电且暗电流低、信噪比高。

雪崩光电二极管传感器-201880004684.9
发明人：伊东恭佑;若野寿史;大竹悠介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：雪崩光电二极管传感器包括设置在基板中并将入射光转换成电荷的光电转换区域。雪崩光电二极管传感器包括位于光电转换区域上的第一导电类型的第一区域，以及以与第一区域相邻的方式设置在基板中并连接到光电转换区域的阴极。雪崩光电二极管传感器包括以与阴极相邻的方式设置在基板中的阳极，以及设置在基板中的第一导电类型的触点。第一区域的杂质浓度不同于触点的杂质浓度。

一种双面发电的太阳能电池-201710260851.3
发明人：吴波;秦崇德;方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L31/0352
摘要：本发明公开一种双面发电的太阳能电池，包括GaInP子电池、隧道结、GaAs子电池、键合层、单晶硅N型电池，通过MOCVD生长GaAs子电池和GaInP子电池，两者通过隧道结连接，将薄膜电池键合到单晶硅N型电池背面，然后剥离GaAs子电池和GaInP子电池薄膜。本发明利用GaAs子电池和GaInP子电池组成的叠层电池在直射光下发电效率高、单晶硅在弱光下发电效率高的优点，感光面发电，不感光的电池可视为一个反向PN结，受光面产生的电流只能从键合层流出(薄膜电池和单晶硅电池的面积不一样大，键合层裸露)，通过改变电池的吸光面，在有限面积上可以充分利用太阳光，从而大大提升单位面积太阳能电池的转换效率。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]具有垂直二极管结的光传感器有效

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