[发明专利]低碳的III族元素氮化物晶体无效
| 申请号： | 201410094204.6 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104047054A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | J.施密特;P.卢 | 申请（专利权）人： | 氮化物处理股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马蔚钧;杨思捷 |
| 地址： | 美国堪*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明总体而言涉及用于制备和使用III族元素氮化物晶体的系统和方法，该晶体在一定波长范围内具有增强或提高的紫外透明度。该晶体还可以用于诸多UV光学器件和UV光学半导体装置中。 | ||
| 搜索关键词： | iii 元素 氮化物 晶体 | ||
【主权项】：
III族元素氮化物晶体，其包含：具有低于约2×1018原子/cm3的碳浓度或低于约2×1018原子/cm3的硅浓度中至少一者的晶格结构；其中所述III族元素氮化物晶体在约300nm或以下的波长处是UV透明的。
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