[发明专利]一种La2Zr2O7过渡层梯度薄膜结构、制备及应用有效

专利信息
申请号: 201410088329.8 申请日: 2014-03-11
公开(公告)号: CN103922738A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 索红莉;任程;刘敏;仪宁;田辉;徐燕 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/622;B05D1/38;B05D7/14
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种La2Zr2O7过渡层梯度薄膜结构、制备及应用,属于高温超导涂层材料技术领域。本发明所提供的La2Zr2O7过渡层薄膜,下层为离子半径较小的Ti4+掺杂形成的La2Zr2-xTixO7薄膜,其中0.2≤x≤1.8,上层是离子半径较大的Y3+掺杂形成的La2Zr2-yYyO7薄膜,其中0.2≤y≤1.8,通过不同掺杂量实现与基板Ni、超导层YBCO的100%匹配,实现了晶格常数梯度变化的过渡层结构。且过渡层为同一本体材料,性能更稳定。La2Zr2-xTixO7、La2Zr2-yYyO7薄膜晶格常数精确可调,且能实现多种过渡层功能的一体化,减小了现有过渡层结构的复杂性。
搜索关键词: 一种 la sub zr 过渡 梯度 薄膜 结构 制备 应用
【主权项】:
一种La2Zr2O7单一过渡层梯度薄膜,其特征在于,该单一过渡层梯度薄膜有两层结构,每层通过掺杂大小不同的离子半径的元素来改变La2Zr2O7的晶格常数,下层为离子半径较小的Ti4+掺杂形成的La2Zr2‑xTixO7薄膜,其中0.2≤x≤1.8,降低了La2Zr2O7的晶格参数;上层是离子半径较大的Y3+掺杂形成的La2Zr2‑yYyO7薄膜,0.2≤y≤1.8,增大了La2Zr2O7的晶格参数。
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