[发明专利]一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310701960.6 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103903867A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 关成善;宗继月;孟博;孙启壮 | 申请（专利权）人： | 山东精工电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 277800 山东省枣庄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法，（1）由CdSe量子点和多晶硅材料组成，在多晶硅材料的制备过程中掺入CdSe量子点，其质量比为100:1；（2）掺杂的CdSe量子点尺寸为3~5nm；（3）高纯硅的制备方法中，以硅烷为硅源，利用气相沉积法提纯硅；（4）利用通N2的喷射管将熔融的硅与CdSe量子点一同喷射到二氧化硅衬底上，其流速为1.5L/min；（5）退火阶段，降温速度为400℃/h。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdse 量子 点敏化 多晶 太阳能电池 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法，其特征在于：（1）由CdSe量子点和多晶硅材料组成，在多晶硅材料的制备过程中掺入CdSe量子点，其质量比为100:1；（2）掺杂的CdSe量子点尺寸为3~5nm；（3）高纯硅的制备方法中，以硅烷为硅源，利用气相沉积法提纯硅；（4）利用通N2的喷射管将熔融的硅与CdSe量子点一同喷射到二氧化硅衬底上，其流速为1.5L/min；（5）退火阶段，降温速度为400℃/h。
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