[发明专利]一种β-Zn4Sb3单晶热电材料的制备方法在审
| 申请号： | 201310402505.6 | 申请日： | 2013-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN104419977A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 邓书康;晒旭霞;孟代仪;申兰先;董国俊;郝瑞亭 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | C30B9/10 | 分类号： | C30B9/10;C30B29/52;C22C18/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650092 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备β-Zn4Sb3单晶材料的方法，属半导体热电材料领域。采用以下步骤实施：A)采用Sn熔剂法，将上述三种元素按一定的配比称量后放入坩锅内；B)采用真空或惰性气体保护下真空熔融缓冷上述装有原料的坩埚；C)待上述坩埚温度冷却到一定温度时，采用物理或者化学的方法将坩埚中剩余的Sn分离后即可获得β-Zn4Sb3单晶材料，该方法制备工艺简单，通过调控工艺参数和起始原料比例，可制备出具有不同晶体尺寸的高性能且热稳定性高的β-Zn4Sb3单晶热电材料，能满足热电材料器件的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zn sub sb 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种β‑Zn4Sb3单晶热电材料的制备方法，将Zn、Sb、Sn 三种元素按一定的配比称量后制备出β‑Zn4Sb3单晶材料。
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