[发明专利]超级结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区包括多个交替排列的N型薄层和P型薄层，N型薄层都包括中间的高电阻率部分和两侧的低电阻率部分，N型薄层和P型薄层的电荷不平衡，N型薄层的低电阻率部分和P型薄层的电荷平衡；P型薄层不能对高电阻率部分进行完全横向耗尽，随着反向偏压的增加N型薄层顶部的P阱对N型薄层的高电阻率部分进行逐渐扩展的纵向耗尽。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能提高器件的反向恢复特性，且比导通电阻较低。

主权项

一种超级结器件，超级结器件的中间区域为电流流动区，终端保护结构环绕于所述电流流动区的外周；其特征在于：电流流动区包括多个交替排列的N型薄层和P型薄层，在所述N型薄层和所述P型薄层的顶部形成有P阱；所述N型薄层包括高电阻率部分和低电阻率部分，所述高电阻率部分为所述N型薄层的中间部分，所述低电阻率部分位于所述高电阻率部分的两侧且和邻近的所述P型薄层相接触；所述高电阻率部分和所述低电阻率部分的电阻率之比大于5:1；所述N型薄层和其邻近的所述P型薄层的电荷不平衡，所述N型薄层的所述低电阻率部分和其邻近的所述P型薄层的电荷平衡，所述N型薄层和所述P型薄层之间连接反偏电压时，所述高电阻率部分不被所述P型薄层完全横向耗尽，所述高电阻率部分的未被所述P型薄层横向耗尽的部分和所述P阱之间形成纵向耗尽，且在反偏电压增加时，所述P阱对所述高电阻率部分的纵向耗尽的深度增加。