[发明专利]形成超声匹配层的方法及超声换能器有效
申请号: | 201310373214.9 | 申请日: | 2009-09-18 |
公开(公告)号: | CN103811366B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | M·卢卡斯;C·查格雷斯;D·赫森;庞国锋 | 申请(专利权)人: | 富士胶卷视声公司 |
主分类号: | H01L21/64 | 分类号: | H01L21/64;H04R17/00;H04R31/00 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人: | 郑建晖,杨勇 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供形成超声匹配层的方法及超声换能器。一种形成超声匹配层的示例性方法包括以下步骤(a)提供一个声阵列换能器堆,其包括一个压电层并具有一个顶面和多个阵列元件,其中所述顶面包括多个未布置在所述多个阵列元件上的隔离物;(b)提供一个透镜组件,其具有顶面和底面;(c)将所述透镜组件的底面与多个隔离物相接触;(d)将换能器堆的顶面与透镜组件的底面之间的粘合剂熟化,以形成超声匹配层,其中所述粘合剂结合至透镜组件的底面和换能器堆的顶面,由所述多个隔离物产生的在所述换能器堆的顶面和所述透镜组件的底面之间的距离适合一个超声匹配层。 | ||
搜索关键词: | 形成 超声 匹配 方法 换能器 | ||
【主权项】:
一种形成超声匹配层的方法,所述方法包括以下步骤:(a)提供一个声阵列换能器堆,其包括一个压电层并具有一个顶面和在活性区域中的多个阵列元件,其中所述顶面包括多个隔离物,所述隔离物具有预期厚度并被布置在所述换能器堆的活性区域外面;(b)提供一个透镜组件,其具有顶面和底面;(c)将所述透镜组件的底面与多个隔离物相接触;(d)将换能器堆的顶面与透镜组件的底面之间的粘合剂熟化,以形成超声匹配层,其中所述粘合剂结合至透镜组件的底面和换能器堆的顶面,由所述多个隔离物的厚度产生的在所述换能器堆的顶面和所述透镜组件的底面之间的距离适合一个超声匹配层。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造